To explore new physics phenomena of low dimensional materials
with a special emphasis on two-dimensional layered structures
차세대 반도체 소재 합성 기술 개발
기초과학연구원
이황화몰리브데늄은 원자 수준의 얇은 막으로 차세대 나노소재로 각광받고 있는 물질이다. 구조적으로 그래핀과 유사하나 자체적인 에너지 밴드갭이 있어 반도체 특성을 뚜렷하게 보인다는 특징이 있다. 이황화몰리브데늄은 이러한 반도체성으로 인해 향후 태양전지, 휘는디스플레이, 투명 전자소자 등 다양한 광/전자소자 영역에응용될 것으로 예상된다.
연구진은 이황화몰리브데늄 합성 시 필요한 산화몰리브데늄을 특정 위치에 증착하는 한편 성장 촉진제를 이용하여양질의 입자를 지닌 이황화몰리브데늄 막을 원하는 위치에 합성하는 기술을 개발하는데 성공하였다.
산화몰리브데늄 또는 순수한 몰리브데늄을 황화시켜 특정 기판위에 이황화몰리브데늄을 합성한 사례가 있지만 이러한 방법은 원하는위치에 합성하기가 어렵거나, 단일층 합성이 어렵다는 공정상 제한이 있었다. 이에 연구진은 이황화몰리브데늄 합성 중 양립할 수 없었던 한계를 극복한 셈이다.
이번 성과는 기존 물질 합성 방식의 한계를 뛰어넘었다는 점과 반도체 산업의 핵심 기술인 양질의물질을 원하는 위치에 합성할 수 있는 방법론을 제시했다는데 큰 의의가 있다.
이영희 IBS 나노구조물리연구단장은“이번 연구는 양질의 층상구조 물질을 원하는 위치에 직접적으로 합성할 수 있는 기술을 처음으로 개발한 연구”라며 “초기단계의 칼코겐화물질연구에 있어 확장이 가능한 중요한 사례”라고 전했다.
[경향신문] 한양대 4학년 손석기씨 논문 SCI급 국제학술지에 게재